+ - دوره ۸ ‏(۱۳۹۶)
طراحی سویچ آنالوگ دقیق جهت استفاده در کاربردهای سرعت بالا
عنوان (انگلیسی): Designing an Accurate Analog Switch Suitable for High-Speed Applications
نشریه: فصلنامه صنایع الکترونیک
شماره: فصلنامه صنایع الکترونیک (دوره: ۸، شماره: ۱ (بهار ۹۶))
نویسنده: محمد حسن سقا ، محسن جلالی
کلیدواژه‌ها : سویچ‌های سرعت بالا ، روش بایاس بدنه ، سویچ‌های ساده ، سوییچ‌های دقیق
کلیدواژه‌ها (انگلیسی): Body bias technique , High speed switch , MOSFET switches , accurate switch
چکیده:

در این مقاله،‏ دو سویچ‌ نمونه‌بردار برای کاربرد در سرعتهای بالا،‏ با استفاده از روش کنترل بایاس بدنه ارایه شده است. در این سویچ‌ها علاوه بر روش بایاس بدنه،‏ ترانزیستور کمکی و ساختار تفاضلی نیز استفاده شده بطوریکه دو سویچ‌ پیشنهاد شده علاوه بر داشتن سرعت و دقت بالا،‏ دارای اعوجاج فاز و دامنه کم در وضعیت پیگیری هستند. تفاوت سویچ‌ پیشنهادی دوم نسبت به سویچ‌ پیشنهادی اول،‏ استفاده از مدار هوشمند کنترل بایاس بدنه است که می‌تواند به حذف اثرات غیر خطی بدنه منجر شود. فرکانس کاری سویچ‌های پیشنهادی اول و دوم حدود سه برابر سویچ‌‌های ساده است بطوریکه این سویچ‌ها می‌توانند با فرکانس کلاک حدود GHz 5‎/2 و فرکانس ورودی حدود GHz 25‎/1 با دقت مناسب کار کنند. مقدار SFDR در فرکانس نایکوییست،‏ برای سویچ‌ پیشنهادی اول و دوم و سویچ‌ نمونه‌بردار ساده،‏ به ترتیب dB 65 و dB 69 و dB 45 بدست آمد که این مقادیر نشان می‌دهند سویچ‌های پیشنهادی نسبت به سویچ‌ ساده،‏ بسیار خطی‌تر هستند.

چکیده (انگلیسی):

In this paper, two new analog switches for very high speed applications are proposed using a body bias control circuit. In addition to using body bias technique, dummy transistor and differential structure is used so that in addition to obtaining a high speed and acceptable precision, the phase and amplitude distortion of proposed switches are quite low in track mode. The difference between the second proposed switch and the first proposed switch is using a smart body bias control circuit, which can greatly reduce non-linear effects. The first and second proposed switches acquire a bandwidth almost three times more than that of simple MOS switch. As simulations reveals these switches can accommodate up to 2.5 GHz clock and 1.25 GHz input frequency with reasonable accuracy. The SFDR at Nyquist frequency for the first and second proposed switches in comparison with the simple MOS switch are 65 dB and 69 dB and 45 dB respectively, indicating that the proposed switches are more linear than simple MOS switch.

فایل مقاله : [دریافت (670.3 kB)] ‏705 دریافت تاكنون
صاحب امتیاز:
صنایع الکترونیک ایران
مدیر مسئول:
- - -
سردبیر:
آقای دکتر محمد کاظم مروج فرشی
مدیر داخلی:
علی طیبی