+ - دوره ۸ ‏(۱۳۹۶)
طراحی یک تقویت کننده کم نویز چند باند با شبکه تطبیق قابل تنظیم و عدد نویز کم برای کاربردهای چند استاندارد
عنوان (انگلیسی): Design of a Multiband Low Noise Amplifier with Reconfigurable Matching Network and Low Noise for Multi-Standard Applications
نشریه: فصلنامه صنایع الکترونیک
شماره: فصلنامه صنایع الکترونیک (دوره: ۸، شماره: ۱ (بهار ۹۶))
نویسنده: رضا رضائی سیه رود ، جواد یاوند حسنی ، عبدالرضا رحمتی
کلیدواژه‌ها : چند باند ، دو باند همزمان ، SDR. ، تقویت کننده کم نویز ، چند استاندارد
کلیدواژه‌ها (انگلیسی): Multiband , Concurrent Dual Band , SDR. , Low Noise Amplifier , Multi-Standard
چکیده:

در این مقاله طراحی و شبیه‌سازی یک تقویت‌کننده‌ی کم نویز چند باند با شبکه ورودی قابل تنظیم برای کاربردهای چند استانداردارائه شده است. این LNA قادر به عملکرد تک باند و دو باند هم‌زمان می‌باشد. در مدار پیشنهادی از سه کلید برای تغییر ساختار و یک ولتاژ کنترل جهت تغییر باند‌های عملکردی استفاده شده است. با این روش توانسته‌ایم تا 5 باند فرکانسی را پوشش دهیم. این LNA در تکنولوژی 0.18µm CMOS شرکت TSMC طراحی وشبیه‌سازی شده است. ساختار ارائه شده جهت استفاده در گیرنده‌های چند استاندراد و کاربردهای SDR مناسب است. نتایج شبیه‌سازی عدد نویز کمتر از dB 2‎/2،‏ S11 کمتر از dB 16- و S21 بالاتر از dB 3‎/12 را برای تمام باندهای فرکانسی ارائه می‌دهد. این ساختار از منبع تغذیه 5‎/1 ولتی،‏ به مقدار 55‎/8 میلی‌وات توان مصرف می‌کند. ساختار پیشنهادی در مقایسه با کارهای پیشین،‏ تعداد باند بیشتری را پشتیبانی کرده و عدد نویز بهتری دارد. بهره و خطینگی تقویت‌کننده‌ی پیشنهادی نیز در مقایسه با ساختارهای مشابه مقدار قابل قبولی دارد.

چکیده (انگلیسی):

This paper presents the design and simulation of a multi-band low noise amplifier with adjustable input network suitable for multi-standard applications. This LNA is capable of single-band and concurrent dual band functioning. Three switches for restructuring and a control voltage for changing the functioning bands are used in the proposed circuit. This LNA is designed and simulated with the 0.18µm CMOS technology of TSMC. The proposed structure is suitable for use in multi-standard receivers and SDR applications. Simulation results show a noise figure lower than 2.2 dB, S11 lower than -16 dB and S21 higher than 12.3 dB for all frequency bands. The designed circuit consumes 8.55 mW power from a 1.5 V power supply. Our proposed structure supports more bands and has a better noise figure, compared to the state-of-the-art methods. Also, the gain and linearity of the proposed amplifier are acceptable, in comparison with similar structures.

فایل مقاله : [دریافت (990.3 kB)] ‏464 دریافت تاكنون
صاحب امتیاز:
صنایع الکترونیک ایران
مدیر مسئول:
- - -
سردبیر:
آقای دکتر محمد کاظم مروج فرشی
مدیر داخلی:
علی طیبی